公司英飞凌发布2025财年第一季度财务报告。英飞凌在其财报中援引的第三方多个方面数据显示，2023年全球功率器件和功率模块市场规模约为357亿美元，（600460.SH）位居全球第十，市场占比2.6%，成为国内本土唯一进入全球前十的企业。这充分展现了
近几年来，在国际市场上逐渐崭露头角。多个方面数据显示，2020—2022年士兰微电子MOSFET器件、IGBT器件、IPM智能功率模块市场占比均已进入全球前十位。
过去一年里，士兰微持续推出富有竞争力的产品，并不断加大在大型白电、通信、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，在电动汽、等行业的快速地发展中充分受益。2024年，公司在电路和器件成品的出售的收益中，已有超过75%的收入来自大型白电、通信、工业、、汽车等高门槛市场。
同时，公司加快产品结构调整的步伐，在电源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM功率模块、SiC（碳化硅）MOSFET器件、超结MOSFET器件、MEMS传感器、MCU芯片、SOC芯片、快恢复管、TVS管、稳压管等产品出货量增长的带动下，公司总体营收保持了较快的增长势头。
据公司2024年年度业绩预告，士兰微预计全年实现扣非净利润1.84亿元到2.24亿元，同比增加212.39%到280.31%，盈利能力明显提升，在市场之间的竞争中有着强劲实力和良好的发展态势。
在产能方面，为充分把握汽车、新能源、算力和通信等领域加快速度进行发展的市场机遇，士兰微正全力提升其6英寸SiC芯片生产线的产能水平。目前，该生产线万片SiC MOSFET芯片的能力。与此同时，公司正在加速推进一条8英寸SiC功率器件芯片制造生产线的建设。该项目一期投资规模高达70亿元，规划产能为每月3.5万片，预计将于2025年年底实现初步通线英寸芯片生产线英寸芯片生产线英寸芯片生产线均实现满负荷生产，并安排技改资金逐步提升产能，预计2025年5英寸、6英寸、8英寸、12英寸芯片生产线将继续保持比较高的产出水平。
在技术方面，士兰微现已完成第Ⅲ代、第Ⅳ代平面栅SiC MOSFET芯片的开发，性能指标达到业内同类器件结构的领先水平。目前，基于公司Ⅱ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主
驱动模块，已实现向下游汽车用户批量供货，基于公司Ⅳ代SiC MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已在客户端验证，预计2025年实现批量供货。在国家政策持续支持以及下游电动汽车、新能源、算力和通信等行业加快速度进行发展的背景下，芯片国产替代进程显著加快。士兰微作为国内领先的IDM公司，凭借特色工艺和产品研制上的突出竞争优势，可满足下游整机（整车）用户多样化需求，具有较强的市场之间的竞争能力。
随着士兰微不断推动满足车规级和工业级要求的器件和电路在各生产线上量，公司整体营收和经营效益的提升可期，在全球功率半导体市场中占据更重要的地位，为中国半导体产业的自主可控发展贡献更大力量。（厉平）
