中科院研究人员成功研制打破性固态深紫外（DUV）激光，光源波长与DUV曝光技能共同3月25日，中国科学院（CAS）宣告了一项严重科研打破：研究人员成功研制出能够发射193纳米相干光的固态深紫外（DUV）激光技能。这一波长与当时被广泛选用的DUV曝光技能的光源波长彻底共同，标志着我国在半导体光刻范畴取得了重要发展。
据中科院研究人员介绍，这项打破性技能通过杂乱的谐波发生和光学参量扩大技能，完结了在6千赫兹重复频率下生成平均功率为70毫瓦的193纳米激光。这一效果不只填补了国内涵固态深紫外激光技能范畴的空白，也为半导体光刻技能供给了新的可能性。
深紫外相干光，尤其是193纳米波长的光，在半导体制作中扮演着至关重要的人物。它能够在必定程度上完结高精度的光刻进程，是制作先进半导体芯片不可或缺的技能。但是，传统的DUV光刻机主要是选用氟化氩（ArF）准分子激光技能，这种技能存在气体耗费量大、体系杂乱、保护本钱高级缺点。
相比之下，中科院研制的固态DUV激光技能彻底根据固态规划，无需运用稀有气体，有望大幅缩小体系模块规划杂乱度和体积，并下降能耗。该技能通过克己的Yb:YAG晶体扩大器生成1030纳米激光，并通过四次谐波转化和光学参量扩大等进程，终究生成193纳米的相干光。
值得一提的是，中科院团队还在试验中初次完结了固态激光发生193纳米涡旋光束。这种涡旋光束带着轨道角动量，具有共同的物理特性，在微纳结构查验测验、量子芯片制作等范畴具有潜在的使用价值。
