中国科学院研制除了突破性的固态DUV（深紫外线nm的相干光，与现在干流的DUV曝光波长共同，能将半导体制程推动至3nm。
据悉，ASML、佳能、Nikon的DUV光刻机都采用了氟化氙（ArF）准分子激光技能，经过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲方式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再透过光学体系调整，用于曝光设备。
中科院的固态DUV激光技能彻底根据固态规划，由克己的Yb：YAG晶体放大器发生1030nm的激光，在经过两条不同的光学途径进行波长转化。 之后，转化后的两路激光经过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，发生193nm波长的激光光束。
最终取得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线MHz，半峰全宽（FWHM）小于0.11皮米（千分之一奈米），光谱纯度与现有商用准分子激光体系适当。 根据此，可用于3nm的制程节点。
报导称，这种规划能够大幅度降卑微影体系的复杂度、体积，削减关于稀有气体的依靠，并大幅度下降能耗。
报导指出，这种全固态DUV光源技能虽然在光谱纯度上现已和商用规范相差无几，可是输出功率、频率都还低许多。 比照ASML的技能，频率达到了约三分之二，但输出功率只要0.7%的水平，因而依然需求持续迭代、提高才干商用。
