功能优化的中心环节，需考虑资料挑选、能带结构、光学约束、载流子约束等要素。例如一个典型外延层结构（以边发射InGaAsP/InP
衬底（Substrate）：如InP（用于长波长）、GaAs（用于短波长）。
下约束层（Lower Cladding Layer）：低折射率、宽禁带资料（如InP），约束光场纵向扩展。
量子阱（QW）结构：多量子阱（MQW）规划（如InGaAsP/InGaAs），厚度一般5-20 nm，提高载流子约束和增益。
触摸层（Contact Layer）：重掺杂（如InGaAs），下降欧姆触摸电阻。
而假如想得到多波长或许宽波段的激光器，在外延结构上理论上是能做成下图的外延规划。
在N和P之间的刺进不同组分的有源层。揭露号：CN116157972A,专利权人：赛米尼克斯有限公司，揭露日：2023.05.23发布的一个专利。
400、500、600作为独立的单片式LD发光区，经过不一样的地道结串联起来。在P和N上加电压，别离宣布光。能够相当于二极管的串联。关于芯片制作来说，没有大的工艺变化。可是这种规划可能有量产质量危险。1：测验条件不同，内部的热扩散可能是个丧命问题。2：外延成长不容易，会形成缺点，且欠好确定是哪一层引起的，工艺调整起来问题多多。3：使用场景有限，有针对的开发才行，后端使用估量要做不少退让才能用。光博会的时分也见过他人有相似的外延PPT阐明，没看到过详细产品，假如真能做好，仍是远景不错的。
迈瑞/开立/格力/美的...承认观赏，ITES品牌终端买家名单｜第二批
纯固态激光雷达在自动驾驶范畴使用潜力巨大 Flash激光雷达有望成为商场干流
2024年中国大陆激光投影商场出货量涨幅超20%；家用和商用商场的体现两极分化
